有鉴于此,技嘉在推出新一代P35产品时,宣布推出Ultra Durble 2技术,采用了更优秀的Low Rds(on) MOSFET(Power Pack)及Ferrite Core Choke,此外更保持采用全日系固态电容,宣称其供电模块的效能进一步提高,工作温度更有所下降。
测试平台:
CPU: Smithfield 840-XE FSB: 800MHz 3.2GHz
DDR2: Kingmax DDR2 800MHz 512MB*4
Display card: GV-NX73G128D-RH
根据技嘉透露出来的消息说,他们在市场中随机找来了一篇华硕的P5K,与自家的P35-DS3R 1.0做PK测试,发现P5K的处理器供电模块比起P35-DS3R 1.0的要高出18.9 ~ 47.8摄氏度,谁胜谁负不言而喻。
据技嘉的工程师指出,由于P35-DS3R采用了6相PWM+18个MOSFET设计,效果比起P5K只采用的3相PWM+9个MOSFET设计设计优秀并不意外,即使采用了一般的MOSFET、CHOKE及台系固态电容也是P35-DS3R在工作温度上优于华硕P5K的主要原因。
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